Появиха се нови подробности за проектирания от специалистите на IBM транзистор от нов тип, подходящ за създаване на нов клас енергонезависима памет.
Ролята на полупроводник в новия транзистор се изпълнява не от силиций, а от ванадиев двуокис (VO2). Под въздействието на положително заредена йонна течност се извършва фазов преход в метално състояние, а чрез отрицателно заредена - в изолатор, съобщи .
Ценността на откритието е в това, че специалистите на IBM са успели да намерят такъв материал, който заставя ванадиевият двуокис надеждно да преминава в метално състояние и да го запазва, докато не влезе в контакт с отрицателно заредената йонна течност.
В този случай кислородът се връща в съединението и вместо метал се получава изолатор VO2. За всеки транзистор е необходима капка от йонна течност с обем около 0,1 пиколитра.
По време на експериментите е използвана стандартната заводска течност HMIM-TFSI след нейната дехидрация във висок вакуум и температура 120 целзиеви градуса в продължение на няколко денонощия.
Преимуществата на памет, изградена от подобни транзистори е енергонезависимостта. Тази памет може да работи без включване към електрическо захранване - подобно на човешкия мозък, което може съществено да понижи консумираната енергия от интегралните схеми./БЛИЦ
Абонирайте се за нас в Google News Showcase, за да следите най-важните новини от деня.
